建军大业

财联社8月24日讯（编辑 马兰）人工智能数据中心使用的高带宽内存（HBM）技术正在出现重大转向。北京时间1月15日，CES 2019发布消息称，苹果正寻求推广其下一代iPod touch，以刺激苹果音乐和应用商店的服务收入。

二 | 日本网站MacOtakara今天宣布，苹果可能正在开发一种新型的iPod touch，作为苹果音乐等服务的入口。在CES 2019年期间，几家供应商告诉MacOtakara，苹果可能正在开发第七代iPod Touch以取代第六代。SK海力士美国公司副总裁Lee Jae-sik最新表示，未来行业不仅需要关注HBM本身，还需要关注封装技术如何影响HBM。MacOtakara没有透露新iPod touch的发布时间和功能。第六代iPod touch于2015年7月发布，使其成为用户使用一系列苹果数字服务最便宜的移动设备。Lee在当地时间23日出席了美国斯坦福大学举行的半导体会议Hot Chips 2026，并发表了题为“HBM的高科技封装”演讲。

三 | 它运行iOS，可以连接到WiFi播放苹果音乐，通过应用商店购买和下载应用程序。目前还不清楚新的iPod touch是否会完全更新，但只是硬件升级。

四 | 他表示，在人工智能半导体时代，为了确保竞争力，不仅HBM本身的性能需要优化，GPU、封装和代工工艺也必须进行优化。目前，SK海力士的HBM采用三维堆叠式设计，通过硅通孔将多个核心芯片连接到一个基底芯片上。报告还指出，苹果正考虑将其下一代iPhone接口从Lightning转换为USB-C。HBM目前最高可达16层堆叠。封装技术则采用了MR+MUF（回流焊+注塑底部填充）。知情人士表示，苹果尚未为该项目推出参考设计，但该公司显然正朝着这一目标努力。

五 | 相比于TC+NCF（热压+非导电薄膜），MR+MUF生产效率更高，热阻更低，但更容易发生芯片翘曲，并且存在间隙填充方面的不足。参考设计是手机量产前的一个重要环节。但SK海力士结合了翘曲控制和精细间距集成及窄间隙填充新技术，成功提高了现有HBM的性能。《电子时报》此前报道，2019年新iPhone可能会用USB-C取代闪电接口，但目前尚不清楚是指接口还是USB-C-Lightning接口适配器。SK海力士还在开发混合键合封装技术，以实现超越16层堆叠的20层或更多层的目标。该技术可在相同高度下将核心芯片厚度增加高达24%，并通过消除现有微凸点并直接连接芯片，将凸点间距缩小至18微米以下。此外，该技术有望通过更高效的散热来减少发热问题。

携手优化的时代与现有存储器不同，HBM在人工智能半导体中首先被组装到中介层上。Lee指出，过去存储器是在系统组装的最后阶段安装的，但在人工智能时代截然不同，这要求HBM的可靠性更加重要。他补充称，HBM必须承受后续工艺中产生的热量和机械应力，因此与客户进行联合开发至关重要。

六 | 这也意味着，内存厂商、GPU设计商、代工厂和封装厂商必须从一开始就进行协同设计。

七 | SK海力士还在会上发布了一项用于冷却HBM内部特定区域“热点”的技术。Lee表示，HBM的输入/输出速度越快，热量就越集中在某些区域。

八 | 正在开发的iHBM技术通过添加耐高温导热材料，只对热量集中的区域进行集中冷却，而非对整个HBM进行冷却。他还指出，HBM的带宽和容量未来将继续增长，但发热、功耗和封装将成为更大的挑战，这要求客户、代工厂和封装公司必须携手优化。